MONOGRAPHS and CHAPTERS in BOOKS:

 

 

18. Vladimir Volodin, Vladimir Gritsenko, Andrei Gismatulin and Albert Chin CHAPTER TITLE “Silicon nanocrystals and amorphous nanoclusters in SiOx and SiNx: structure, properties and application in memristors”, in Book: “Nanocrystalline Materials”, Intech Open, 2019, DOI: 10.5772/intechopen.86508, ISBN 978-1-78985-594-4, https://www.intechopen.com/online-first/silicon-nanocrystals-and-amorphous-nanoclusters-in-siox-and-sinx-atomic-electronic-structure-and-mem


17. V.A. Gritsenko, D.R. Islamov, Monograph “Physics of Dielectric Films: Charge Transport Mechanism and Physics of Memory Devices”, Ed. Parallel, Novosibirsk, p. 352, in Russian 2017, ISBN 978-5-98901-198-8

 В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов, монография ’’Физика Диэлектрических Пленок: Механизмы Транспорта Заряда и Физические Основы Приборов Памяти’’, издательство ’’Параллель’’, Новосибирск, с. 352, 2017, ISBN 978-5-98901-198-8

 

16. D.R.Islamov, T.V.Perevalov, V.A.Gritsenko, V.Sh.Aliev, A.A.Saraev, V.V. Kaichev, Е.V.Ivanova, M.V.Zamoryanskay, The nature of defects responsible for transport in a hafnium dioxide-based resistive memory element in chapter IV New materials and nanotechnologies for electronics,  in book  Advances in Semiconductor Nanostructures Growth, Characterization, Properties and Applications, Elsevier, 2016 book Advances in Semiconductor Nanostructures, ISBN 9780128105122

 

15. V.A. Gritsenko, Silicon Nitride on Si: Electronic Structure for Flash Memory

Devices, chapter in book “Thin Films on Si: Electronic and Photonic Applications” p.273-322 ’’World Scientific Press”, 2016. http://dx.doi.org/10.1142/9789814740487_0006 

 

14. V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, Monograph Physics of Dielectric Films: Atomic and Electronic Structure, In Russian Ed “Avtograf” Novosibirsk, p. 233, 2015. ISBN978-5-9906983-9-0

 

В.А. Гриценко, Т.В. Перевалов, монография ’’Физика Диэлектрических Пленок: Атомная и Электронная Структура’’, издательство ’’Автограф’’,., Новосибирск, с.233, 2015  ISBN978-5-9906983-9-0

 

13. Д.Р. Исламов, Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко, В.Ш. Алиев, А.А. Сараев, В.В. Каичев, Е.В. Иванова, М.В. Заморянская, Природа дефектов, ответственных за транспорт в элементе резистивной памяти на основе оксида гафния, с. 614-625, в Юбилейном сборнике избранных трудов Института физики полупроводников им А.В. Ржанова Новосибирск, из-во Параллель, 2014

 

12. V.A. Gritsenko, Charge Transport Mechanism оf Dielectrics Films, in Book Synthesis, Properties and Application of High-k Dielectrics in Silicon Devices, Ed. A.L. Aseev, V.A. Gritsenko, Edition of Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, 2011.

В.А. Гриценко, Механизмы переноса заряда в диэлектрических пленках, в книге "Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах", Ред. А.Л. Асеев, В.А. Гриценко. Издательство СО РАН, 2011.

 

 11. V.A. Gritsenko, A.P. Eliseev, M.V. Ivanov, I.K. Igumenov, V.V. Kaichev, A.A. Karpushin, N.B. Morozova, K.A. Nasyrov, S.S. Nekrashevich, Yu.N. Novikov, T.V. Perevalov, V.A. Pustovarov, A.A. Rastorguev, T.P. Smirnova, V.N. Snytnikov, A.N. Sorokin, V.O. Stoyanovski, Syntesys, Properties and Application of Dielectrics with High Dielectric Permittivity in Silicon Devices, Ed. by V.A. Gritsenko, A.L. Aseev, Edition of Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, 2011.

 

В.А. Гриценко, А.П. Елисеев, М.В. Иванов, И.К. Игуменов, В.В. Каичев, А.А. Карпушин, Н.Б. Морозова, К.А. Насыров, С.С. Некрашевич, Ю.Н. Новиков,  Т.В. Перевалов,  В.А. Пустоваров, А.А. Расторгуев, Т.П. Смирнова, В.Н. Снытников, А.Н. Сорокин, В.О. Стояновский, "Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах", Ред. А.Л. Асеев, В.А. Гриценко.  Издательство СО РАН, 2011.

 

10. V.A. Gritsenko, I.E. Tyschenko, V.P. Popov, T.V. Perevalov, Dielectrics in Nanoelectronics, p. 258, Edition SB RAN, Novosibirsk, 2010.

В.А. Гриценко, И.Е. Тысченко, В.П. Попов, Т.В. Перевалов, Диэлектрики в Наноэлектронике с. 258, издательство СО РАН, Новосибирск, 2010.

9. Yakov Roizin, Vladimir Gritsenko, ONO Structures in Modern Microelectronics. Material Science, Characterization and Application, Chapter in book “Dielectric Films for Advanced Microelectronics”, Eds. by M. R. Baklanov, M. Greeen, K. Maex, Wiley&Sons, 2007.

 

8. В.А. Гриценко, К.А. Насыров, Д.в. Гриценко, Ю.Н. Новиков, А.Л. Асеев, В.Х. Ли, Д.-В. Ли, Ч.В. Ким, Новый Элемент памяти на кремниевых нанокластерах в диэлектрике с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO2 для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства, в книге Атомная структура полупроводниковых систем, издательство СО РАН, Новосибирск, 2006.

7. T. V. Perevalov, A. V. Shaposhnikov, V. M. Tapilin , K.A. Nasyrov, D. V. Gritsenko, V. A. Gritsenko, Electronic Structure of ZrO2 and HfO2, Chapter in Book “Defects in High-k Gate Dielectric Stacks”, ed. by E. Gusev, Springer, 2006.

 

6. V. A. Gritsenko, Towards atomic scale understanding of defects and traps in oxide/nitride/oxide and oxynitride systems, In “Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices”, NATO Science Series, High Technology, V. 47, p 335-342,1998, Kluwer Academic Publishers.

 

5. V. A. Gritsenko, Monograph Structure and Electronic Properties of    Amorphous Dielectrics  in Silicon MIS Structures, In Russian p.280, 1993, Ed. Science, Novosibirsk,

Russia. В.А. Гриценко,Строение и Электронная Структура Диэлектриков в Кремниевых МДП Структурах. с.280, Наука, Новосибирск,1993.

 

4. V. A. Gritsenko, Electronic Structure and Optical Properties of    Silicon Nitride, In "Silicon Nitride in Electronics", p.138-187, 1988, Elsevier, New  York. 

 

3. V. A. Gritsenko, In Russian Optical Properties of  Silicon Nitride, In "Silicon   Nitride in Electronics",  p.112-133, 1982, Ed. Science, Novosibirsk, USSR,.

 

2. A.V. Rzhanov, K.P. Mogilnikov, V.A. Gritsenko, Electron Transport in Silicon Oxynitride, in “The Physics of SiO2 and its Interface”, ed. S.T. Pantelides, Pergamon Press, New York, 1978.

 

1. V. A. Gritsenko, S. P. Sinitsa, Conduction of Insulators Films in MIS  Structures, in  «Properties of Metal-Insulator- Semiconductor  Structures»,  p.148-189, 1976, Ed. Science, Moscow, USSR.