MONOGRAPHS and CHAPTERS in BOOKS:
18. Vladimir Volodin, Vladimir Gritsenko, Andrei Gismatulin and Albert Chin CHAPTER TITLE “Silicon nanocrystals and amorphous nanoclusters in SiOx and SiNx: structure, properties and application in memristors”, in Book: “Nanocrystalline Materials”, Intech Open, 2019, DOI: 10.5772/intechopen.86508, ISBN 978-1-78985-594-4, https://www.intechopen.com/online-first/silicon-nanocrystals-and-amorphous-nanoclusters-in-siox-and-sinx-atomic-electronic-structure-and-mem
17. V.A. Gritsenko, D.R. Islamov, Monograph “Physics of Dielectric Films: Charge Transport Mechanism
and Physics of Memory Devices”, Ed. Parallel, Novosibirsk, p. 352, in Russian
2017, ISBN 978-5-98901-198-8
В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов, монография ’’Физика Диэлектрических Пленок: Механизмы Транспорта Заряда и Физические Основы Приборов Памяти’’, издательство ’’Параллель’’, Новосибирск, с. 352, 2017, ISBN 978-5-98901-198-8
16. D.R.Islamov, T.V.Perevalov, V.A.Gritsenko, V.Sh.Aliev, A.A.Saraev, V.V.
Kaichev, Е.V.Ivanova, M.V.Zamoryanskay, The
nature of defects responsible for transport in a hafnium dioxide-based
resistive memory element in chapter IV New materials and
nanotechnologies for electronics, in
book Advances in Semiconductor Nanostructures Growth, Characterization,
Properties and Applications, Elsevier, 2016 book Advances in Semiconductor Nanostructures, ISBN
9780128105122
15. V.A. Gritsenko, Silicon Nitride on Si:
Electronic Structure for Flash Memory
Devices, chapter in book “Thin Films
on Si: Electronic and Photonic Applications” p.273-322 ’’World Scientific Press”,
2016. http://dx.doi.org/10.1142/9789814740487_0006
14. V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, Monograph Physics of Dielectric Films:
Atomic and Electronic Structure, In Russian Ed “Avtograf” Novosibirsk, p. 233,
2015. ISBN978-5-9906983-9-0
В.А. Гриценко, Т.В. Перевалов, монография ’’Физика
Диэлектрических Пленок: Атомная и Электронная Структура’’, издательство
’’Автограф’’,., Новосибирск, с.233, 2015
ISBN978-5-9906983-9-0
13. Д.Р. Исламов, Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко, В.Ш. Алиев,
А.А. Сараев, В.В. Каичев, Е.В. Иванова, М.В. Заморянская, Природа дефектов,
ответственных за транспорт в элементе резистивной памяти на основе оксида
гафния, с. 614-625, в Юбилейном сборнике избранных трудов Института физики
полупроводников им А.В. Ржанова Новосибирск, из-во Параллель, 2014
12. V.A. Gritsenko, Charge Transport Mechanism оf
Dielectrics Films, in Book Synthesis, Properties and Application of High-k
Dielectrics in Silicon Devices, Ed. A.L. Aseev, V.A. Gritsenko, Edition of
Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, 2011.
В.А. Гриценко, Механизмы переноса заряда в
диэлектрических пленках, в книге "Синтез, свойства и применение
диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых
приборах", Ред. А.Л. Асеев, В.А. Гриценко. Издательство СО РАН, 2011. |
11. V.A. Gritsenko, A.P.
Eliseev, M.V. Ivanov, I.K. Igumenov, V.V. Kaichev, A.A. Karpushin, N.B.
Morozova, K.A. Nasyrov, S.S. Nekrashevich, Yu.N. Novikov, T.V. Perevalov, V.A.
Pustovarov, A.A. Rastorguev, T.P. Smirnova, V.N. Snytnikov, A.N. Sorokin, V.O.
Stoyanovski, Syntesys, Properties and Application of Dielectrics with High Dielectric
Permittivity in Silicon Devices, Ed. by V.A. Gritsenko, A.L. Aseev, Edition of
Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, 2011.
В.А. Гриценко, А.П. Елисеев, М.В. Иванов, И.К. Игуменов,
В.В. Каичев, А.А. Карпушин, Н.Б. Морозова, К.А. Насыров, С.С. Некрашевич, Ю.Н.
Новиков, Т.В. Перевалов, В.А. Пустоваров, А.А. Расторгуев, Т.П.
Смирнова, В.Н. Снытников, А.Н. Сорокин, В.О. Стояновский, "Синтез, свойства
и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых
приборах", Ред. А.Л. Асеев, В.А. Гриценко.
Издательство СО РАН, 2011.
10. V.A. Gritsenko, I.E. Tyschenko, V.P. Popov, T.V. Perevalov, Dielectrics in Nanoelectronics, p. 258, Edition SB RAN, Novosibirsk, 2010.
В.А. Гриценко, И.Е. Тысченко, В.П. Попов, Т.В. Перевалов, Диэлектрики в
Наноэлектронике с. 258, издательство СО РАН, Новосибирск, 2010.
9. Yakov Roizin, Vladimir Gritsenko, ONO Structures in Modern Microelectronics.
Material Science, Characterization and Application, Chapter in book “Dielectric Films for Advanced Microelectronics”,
Eds. by M. R. Baklanov, M. Greeen, K. Maex, Wiley&Sons, 2007.
8. В.А. Гриценко, К.А. Насыров,
Д.в. Гриценко, Ю.Н. Новиков, А.Л. Асеев, В.Х. Ли, Д.-В. Ли, Ч.В. Ким, Новый
Элемент памяти на кремниевых нанокластерах в диэлектрике с высокой
диэлектрической проницаемостью ZrO2 для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего
устройства, в книге Атомная структура полупроводниковых систем, издательство СО
РАН, Новосибирск, 2006.
7.
T. V. Perevalov, A. V. Shaposhnikov, V. M. Tapilin , K.A. Nasyrov,
D. V. Gritsenko, V. A. Gritsenko, Electronic Structure of ZrO2 and
HfO2, Chapter in Book “Defects in High-k Gate Dielectric Stacks”,
ed. by E. Gusev, Springer, 2006.
6. V. A. Gritsenko,
Towards atomic scale understanding of defects and traps in oxide/nitride/oxide
and oxynitride systems, In “Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on
Si-based Devices”, NATO Science
Series, High Technology, V. 47, p 335-342,1998, Kluwer
Academic Publishers.
5. V. A. Gritsenko,
Monograph Structure and Electronic
Properties of Amorphous
Dielectrics in Silicon MIS Structures,
In Russian p.280, 1993, Ed. Science, Novosibirsk,
Russia. В.А. Гриценко,Строение и
Электронная Структура Диэлектриков в Кремниевых МДП Структурах. с.280, Наука,
Новосибирск,1993.
4. V. A.
Gritsenko, Electronic Structure and Optical Properties of Silicon Nitride, In "Silicon Nitride in Electronics",
p.138-187, 1988, Elsevier, New
York.
3. V. A. Gritsenko, In Russian Optical Properties of Silicon Nitride, In "Silicon
Nitride in Electronics",
p.112-133, 1982, Ed. Science, Novosibirsk, USSR,.
2. A.V. Rzhanov, K.P. Mogilnikov, V.A. Gritsenko,
Electron Transport in Silicon Oxynitride, in “The Physics of SiO2
and its Interface”, ed. S.T. Pantelides, Pergamon Press, New York, 1978.
1. V. A. Gritsenko, S. P. Sinitsa, Conduction of Insulators Films in MIS Structures, in «Properties of Metal-Insulator- Semiconductor Structures», p.148-189, 1976, Ed. Science, Moscow, USSR.