PATENTS:
28 Г.Н. Камаев, Ю.Н. Новиков, В.А. Володин, В.А. Гриценко, Способ получения активного слоя элемента энергонезависимой резистивной памяти, Заявка на изобретение от 06.10.2023, № 2023125731, Патент РФ №. 2 812 881
G.N. Kamaev, Yu. N. Novikov, V.A. Volodin, V.A. Gritsenko, Method orf fabrication of active layer of nonvolatile resistive memory, Patent №. 2 812 881, 14.02.24
27. В.Ш. Алиев, В.А. Воронковский, А.К. Герасимова, В.А. Гриценко, Способ получения активного слоя для беcформовочного элемента энергонезависимой резистивной памяти,, Патент РФ No.2779436 от 27.12.2021
V.S. Aliev, V.A. Voronkovsky, A.K. Gerasimova, V.A. Gritsenko, Method fabrication of active layer for forming -less nonvolatile resistive memory element, Patent №. No.2779436, 27.12.2021
26. G.N. Kamaev, A.A. Gismatulin, V.A. Volodin, V.A. Gritsenko,
Method fabrication of resistive memory element, Russian patent №2749028/03.06.2021
Г.Н. Камаев, А.А. Гисматулин, В.А. Володин, В.А. Гриценко, Способ получения активной структуры резистивного энергонезависимого элемента памяти, Патент РФ №2749028/03.06.2021
25. V.A.
Gritsenko, V.S. Aliev, D.R. Islamov, V.A. Voronkovski, Method od Active Layer
Fabrication on the Base of Resistive Effect for Universal Memory, Russian
Patent №. 2611580, 28.02.2017.
В. А. Гриценко, В. Ш.
Алиев, Д. Р. Исламов, В. А. Воронковский. Способ изготовления активного слоя
для универсальной памяти на основе резистивного эффекта : патент РФ №. 2611580
/ дата регистрации патента 28.02.2017.
24. V.A.
Gritsenko,Russian Patent № 2602765, Memristor Memory Element, prioritu from 03.09.2015.
В.А.
Гриценко, Патент № 2602765, Мемристорный элемент памяти, приоритет от
03.09.2015.
23. G.Y. Krasnikov,
O.M. Orlov, V.A. Gritsenko, Yu.N. Novikov, Flash memory element for
electrically erasable reprogramming device, Russian patent № 2584728, 26.04.2016.
Г.Я
Красников, О.М. Орлов, В.А. Гриценко, Ю.Н. Новиков, Флэш элемент памяти
электрически перепрограммируемого запоминающего устройства, Патент № 2584728,
заявка 2015114989 от 26 апреля 2016, приоритет изобретения 22 апреля 2015 г.
22. V.A. Gritsenko,
Resistive flash memory element, Russian patent No 2516771, от
26.03.2014.
В.А. Гриценко, Патент
No 2516771, от 26 марта 2014, приоритет от 23 октября 2012
"Резистивный флэш элемент памяти".
21. V.A.
Gritsenko, Flash memory element, Russian patent No 2013136229,
01.08.2013.
В.А. Гриценко,
Патент No 2013136229 от 01.08.2013 "Флэш элемент памяти".
20. V.A.
Gritsenko, K.A. Nasyrov, FLASH memory device, Russian Patent, К.А. Насыров, No 2381575 от
10.02.2010
В.А.
Гриценко, К.А. Насыров, Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого
постоянного запоминающего устройства, Патент No 2381575 от 10.02.2010
19. V.A. Gritsenko, FLASH memory device,
Russian Patent, No 2402083, 20.10.2010.
В.А.
Гриценко, Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного
запоминающего устройства, Патент No 2402083, 20.10.2010.
18. V.A.
Gritsenko, K.A. Nasyrov, FLASH memory device, Russian Patent No
2403631 от 10.11.2010
К.А.
Насыров, В.А. Гриценко, Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого
постоянного запоминающего устройства, Патент No 2403631 от 10.11.2010
17. V.A. Gritsenko,
FLASH memory device, Russian Patent
No 79708, 10.01.2009.
В.А.
Гриценко, Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного
запоминающего устройства, Патент РФ No 79708, 10.01.2009.
16. V.A.
Gritsenko, FLASH memory device, Russian Patent No 81593, 20.03.2009.
В.А.
Гриценко, Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного
запоминающего устройства, Патент РФ No 81593, дата выдачи 20.03.2009.
15. V.A.
Gritsenko, FLASH memory device, Russian Patent No 78708, 10.01.2009.
В.А.
Гриценко, Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного
запоминающего устройства, Патент No 78708, 10.01.2009.
14. V.A.
Gritsenko, FLASH memory device, Patent Russia, N2310929, 20.11.2007.
13. V. A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, D.V.
Gritsenko, A.L. Aseev, V. G. Lifshitz, Memory Device for FLASH, Patent
RUSSIA, No 2287865, 20.11.2006
В.А.
Гриценко, Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного
запоминающего устройства, Патент No 2287865, 20.11.2006
12. V. A. Gritsenko, Memory Device,
Patent RUSSIA, No. 2003109077, 09.27.2004.
11. В.А.
Гриценко, Заявка на изобретение, Элемент памяти для электрически
перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства. решение о выдаче
патента на изобретение No2003103143/09(003159). 21.05.2004.
10. В.А.
Гриценко, Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного
запоминающего устройства
9. V. A. Gritsenko, Memory Device, Patent
RUSSIA, No. 2003103143, 31.03.2004.
В.А.
Гриценко, Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного
запоминающего устройства, Патент No2003103143, 10.11.2003.
8. V. A. Gritsenko, Memory Device, Patent
RUSSIA, No. 2003109077, 03.11.2003.
В.А.
Гриценко, Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного
запоминающего устройства, Патент No2003109077, 03.11.2003.
7. G. I. Labudin,
V. M. Maslovskii, B. I. Vasilev, V. A. Gritsenko, S. A. Kovtunenko, Method of
Manufacturing of MIS Memory Device,
Patent RUSSIA No.2006966,
30.01.1994.
6. V. A. Gritsenko, Memory Device, Patent USSR N.1135354,
15.09.1984.
5. V. A. Gritsenko, S. A. Kambalin, E. E.
Meerson, Memory Element for EEPROM,
Patent USSR N.1124762, 15.07.1984.
4. V. I. Koldjaev, V. I. Ovcharenko, V. A.
Gritsenko, Memory Array
for EEPROM, Patent USSR N.1108915, 15.04.1984.
3. S. A. Kambalin, V. A. Gritsenko, N. A.
Romanov, Memory Element for Read Only
Array, Patent USSR N.1079079,
14.07.1982.
2. Yu. V. Goltvyanskii, A. P. Dubchak, V. A.
Gritsenko, V. D. Kostyuk, Method of Writing and Erasing of Information in
MNOS Memory Cell, Patent USSR N.1405088, 23.06.1988.
1. V. I. Koldyaev, V. A. Gritsenko. Memory
Element for Read Only Memory Device,
Patent USSR N.1012704, 14.12.1982.